ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG501EGD3HRB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-359
- Tillv. art.nr:
- AG501EGD3HRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 2 enheter)*
37,99 kr
(exkl. moms)
47,488 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 18,995 kr | 37,99 kr |
| 20 - 48 | 16,705 kr | 33,41 kr |
| 50 - 198 | 15,00 kr | 30,00 kr |
| 200 - 998 | 12,12 kr | 24,24 kr |
| 1000 + | 11,79 kr | 23,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-359
- Tillv. art.nr:
- AG501EGD3HRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -40V | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Serie | AG501EGD3HRB | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 5 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 142W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 145nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.50mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Bredd | 6.80 mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -40V | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Serie AG501EGD3HRB | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 5 V | ||
Maximal effektförlust Pd 142W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 145nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.50mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Bredd 6.80 mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The ROHM P channel power MOSFET designed for efficient energy management in automotive systems and various applications. Featuring a maximum Drain-Source voltage of -40V and a continuous drain current capability of up to -80A, this robust device delivers exceptional reliability under demanding operating conditions. With a low on-resistance of just 4.9mΩ, it ensures minimal energy loss, contributing to improved overall system efficiency and thermal performance. This MOSFET is also AEC-Q101 qualified, highlighting its suitability for automotive applications where stringent standards must be met.
Offers low on resistance for reduced power loss and enhanced efficiency
AEC Q101 qualified, ensuring reliability for automotive and critical applications
Avalanche tested to guarantee performance under dynamic conditions
Supports a maximum power dissipation of 142W, compatible with high-performance designs
Wide operating temperature range from -55°C to 175°C, allowing use in diverse environments
Pb free plating and RoHS compliant, meeting modern environmental standards
Optimised packaging specifications, including embedding options for automated assembly
Provides a guaranteed avalanche energy rating, ensuring robust operation during transient events
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal 3 Ben RD3L08BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal 3 Ben RD3N045AT AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal 3 Ben RD3P08BBLHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal 3 Ben RD3E07BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal 3 Ben RD3G04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal 3 Ben RD3L04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal 3 Ben RD3N03BAT AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal 3 Ben AG502EED3HRB AEC-Q101