ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3E07BBJHRB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-470
- Tillv. art.nr:
- RD3E07BBJHRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 2 enheter)*
20,31 kr
(exkl. moms)
25,388 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 10,155 kr | 20,31 kr |
| 20 - 48 | 8,975 kr | 17,95 kr |
| 50 - 198 | 8,055 kr | 16,11 kr |
| 200 - 998 | 6,485 kr | 12,97 kr |
| 1000 + | 6,355 kr | 12,71 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-470
- Tillv. art.nr:
- RD3E07BBJHRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -30V | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3E07BBJHRB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 77W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC-Q101 | |
| Bredd | 6.8mm | |
| Längd | 10.5mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -30V | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Serie RD3E07BBJHRB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 5V | ||
Maximal effektförlust Pd 77W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC-Q101 | ||
Bredd 6.8mm | ||
Längd 10.5mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHM P-kanals effekt-MOSFET är utformad för hög prestanda i krävande tillämpningar. Med en maximal kontinuerlig dräneringsström på ±78 A och en brytspänning på -30 V är denna MOSFET idealisk för användning i fordons- och industrimiljöer som kräver robust effektivitet. Dess kompakta DPAK-paket möjliggör enkel integrering i olika konstruktioner, medan dess låga påslagningsresistans på 8,5 mΩ minskar energiförlusten avsevärt. Produkten är också AEC-Q101-kvalificerad, vilket säkerställer tillförlitlighet under tuffa förhållanden, vilket gör den till ett perfekt val för designers som söker högkvalitativa och hållbara komponenter för sina elektroniska tillämpningar.
Har låg påslagningsresistans för förbättrad effektivitet och minskad värmegenerering
Erbjuder en maximal effektförlust på 77 W för tillämpningar med hög effekt
Utformad för att tåla ett brett driftstemperaturområde på -55 till +175 °C
AEC Q101-kvalificerad, vilket säkerställer hög tillförlitlighet för fordonstillämpningar
Ger 100 % avalanche-test för ökad hållbarhet under påfrestning
Uppfyller Pb- och RoHS-standarder för miljövänlig användning
Förpackad i DPAK-format för enkel montering och integration
Stöder en pulserad dräneringsströmkapacitet på ±156 A för dynamiska belastningsförhållanden.
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3N045AT AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3P08BBLHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3G04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG501EGD3HRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3N03BAT AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3E08BBJHRB AEC-Q101