ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3P08BBLHRB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-355
- Tillv. art.nr:
- RD3P08BBLHRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 2 enheter)*
76,61 kr
(exkl. moms)
95,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 96 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 38,305 kr | 76,61 kr |
| 20 - 98 | 33,825 kr | 67,65 kr |
| 100 - 198 | 30,295 kr | 60,59 kr |
| 200 + | 23,80 kr | 47,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-355
- Tillv. art.nr:
- RD3P08BBLHRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | RD3P08BBLHRB | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 142W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 55nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.5mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Bredd | 6.8mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie RD3P08BBLHRB | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 142W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 55nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.5mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Bredd 6.8mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHM N-kanals effekt-MOSFET är utformad för robusta tillämpningar som kräver effektiv omkoppling. Med en maximal nominell spänning på 100 V och en kontinuerlig dräneringsström på 80 A ger denna komponent tillförlitlig strömhantering. Dess låga påslagningsresistans på bara 6,2 mΩ säkerställer minimal energiförlust under drift, vilket är avgörande för att förbättra effektiviteten hos strömförsörjningar. Denna MOSFET stöder ett brett spektrum av kommuterade strömtillämpningar och är AEC-Q101-kvalificerad, vilket gör den lämplig för fordonsmiljöer. Dess kompakta DPAK-paket möjliggör förbättrad termisk prestanda i trånga utrymmen.
Lågt påslagningsmotstånd förbättrar energieffektiviteten och minskar värmeutvecklingen
100 V drain-källspänning stöder olika högspänningstillämpningar
Kontinuerlig dräneringsström på 80 A möjliggör tillförlitlig prestanda under tunga laster
AEC Q101-kvalificerad, vilket säkerställer hög tillförlitlighet för fordonstillämpningar
Kompakt TO-252-paket underlättar bättre värmehantering och utrymmesbesparande konstruktioner
Robust avalanchekapacitet säkerställer säkerhet under transientförhållanden
Hög effektförlust på 142 W tillgodoser krävande driftsbehov
Blyfri plätering och RoHS-kompatibel, i linje med miljövänliga metoder
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG501EGD3HRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3G04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG502EED3HRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3N03BAT AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3E07BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3N045AT AEC-Q101