ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 4.5 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3N045AT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-488
- Tillv. art.nr:
- RD3N045ATTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 26,25 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 2 enheter)*
9,43 kr
(exkl. moms)
11,79 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 496 enhet(er) från den 06 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 2 - 48 | 4,715 kr | 9,43 kr | - |
| 50 - 198 | 4,19 kr | 8,38 kr | 26,25 kr |
| 200 - 998 | 3,80 kr | 7,60 kr | 183,00 kr |
| 1000 - 1998 | 3,015 kr | 6,03 kr | 1 700,00 kr |
| 2000 + | 2,95 kr | 5,90 kr | 3 530,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-488
- Tillv. art.nr:
- RD3N045ATTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3N045AT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 650mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 17W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.9nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 6.8mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Längd | 10.5mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Serie RD3N045AT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 650mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 17W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.9nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 6.8mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Längd 10.5mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHM P-kanal MOSFET är utformad för en mängd olika strömtillämpningar. Med en nominell drain-källspänning på -80 V och en kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på -4,5 A ger denna MOSFET utmärkta elektriska prestanda för krävande miljöer. Dess låga påslagningsresistans på 650 mΩ maximerar effektiviteten samtidigt som värmegenerering minimeras, vilket bidrar till överlägsen övergripande tillförlitlighet. RD3N045AT är RoHS-kompatibel och har ett robust TO-252-paket, idealiskt för motordrivenheter och andra omkopplingstillämpningar, vilket säkerställer robust drift i högeffektscenarier. Enheten är noggrant testad för grindtillförlitlighet och funktionerna är också halogenfria, vilket stöder miljövänliga metoder.
Lågt motstånd på 650 mΩ förbättrar effektiviteten och minskar effektförluster
Ger hög effekthanteringskapacitet med en maximal effektförlust på 17 W
Klassad för en maximal kopplingstemperatur på 150 °C, vilket säkerställer tillförlitlighet under krävande förhållanden
Pulsad dräneringsströmkapacitet på ±9 A stöder tillämpningar med transient belastning
Gate-source-spänningstolerans på ±20 V möjliggör flexibla kretsdesigner
Idealisk för motorstyrningstillämpningar, vilket förbättrar prestandan i elmotorer
RoHS-kompatibel konstruktion främjar miljömässig hållbarhet
Testad för 100 % Rg- och UIS-tillförlitlighet, vilket säkerställer robust långvarig prestanda
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG501EGD3HRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3P08BBLHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 40 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3G04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 48 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 30 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3N03BAT AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 78 A -30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3E07BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 78 A -30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG502EED3HRB AEC-Q101