ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08BBJHRB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-358
- Tillv. art.nr:
- RD3L08BBJHRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (2 enheter, på ett band med 2)*
38,51 kr
(exkl. moms)
48,14 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 86 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 19,255 kr | 38,51 kr |
| 20 - 48 | 16,965 kr | 33,93 kr |
| 50 - 198 | 15,26 kr | 30,52 kr |
| 200 - 998 | 12,25 kr | 24,50 kr |
| 1000 + | 11,985 kr | 23,97 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-358
- Tillv. art.nr:
- RD3L08BBJHRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3L08BBJHRB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 142W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 145nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC-Q101 | |
| Bredd | 6.8mm | |
| Längd | 10.5mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Serie RD3L08BBJHRB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 142W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 145nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC-Q101 | ||
Bredd 6.8mm | ||
Längd 10.5mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHM P-kanal MOSFET är utformad för krävande tillämpningar som kräver robust strömhantering. Med en maximal märkspänning på -60 V och strömkapacitet på ±80 A är denna enhet lämplig för fordons- och industriell användning. Den är tillverkad i en TO-252-kapsel och säkerställer effektiv termisk prestanda med en effektförlust på upp till 142 W. Den låga påslagningsresistansen på 10,7 mΩ förbättrar energieffektiviteten, vilket gör den till ett idealiskt val för energimässiga konstruktioner. Dessutom är den 100 % avalanchetestad och AEC-Q101-kvalificerad, vilket säkerställer tillförlitlighet i kritiska tillämpningar.
Optimerad för effektivitet med låg påslagningsresistans, vilket säkerställer minskad effektförlust
Robust termisk prestanda möjliggör drift i krävande miljöer med en maximal kopplingstemperatur på 175 °C
Lämplig för högströmstillämpningar med en kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på ±80 A
AEC Q101-kvalificerad för fordonstillämpningar, vilket säkerställer överensstämmelse med strikta kvalitetsstandarder
Präglad tejpförpackning underlättar automatiserade monteringsprocesser
Helt avalancheklassad, vilket garanterar tillförlitlig drift under transientförhållanden
Blyfri plätering och RoHS-kompatibel, som uppfyller miljöstandarder för moderna elektroniska komponenter
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3P08BBLHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG501EGD3HRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3G04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG502EED3HRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3N03BAT AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3E07BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3N045AT AEC-Q101