ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG502EED3HRB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-467
- Tillv. art.nr:
- AG502EED3HRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 2 enheter)*
47,04 kr
(exkl. moms)
58,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 23,52 kr | 47,04 kr |
| 20 - 48 | 20,775 kr | 41,55 kr |
| 50 - 198 | 18,535 kr | 37,07 kr |
| 200 - 998 | 15,065 kr | 30,13 kr |
| 1000 + | 14,56 kr | 29,12 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-467
- Tillv. art.nr:
- AG502EED3HRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -30V | |
| Serie | AG502EED3HRB | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 52nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 77W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 6.8mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Längd | 10.5mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -30V | ||
Serie AG502EED3HRB | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 52nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 5V | ||
Maximal effektförlust Pd 77W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 6.8mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Längd 10.5mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHM Power MOSFET är utformad för effektiv och tillförlitlig energihantering i fordonssystem. Med en maximal dräneringskällspänning på -30 V och kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på upp till 78 A är denna enhet idealisk för krävande tillämpningar som kräver robust strömhantering. Dess låga påslagningsresistans på 8,5 mΩ minimerar effektförlusten, vilket bidrar till ökad termisk effektivitet. Dessutom är MOSFET kvalificerad enligt AEC-Q101-standarder, vilket säkerställer att den uppfyller strikta fordonskrav för hållbarhet och prestanda. Med utmärkta avalanchegenskaper och ett brett driftstemperaturområde säkerställer AG502EED3HRB konsekvent prestanda under olika förhållanden.
Robust konstruktion med AEC Q101-kvalificering för fordonstillämpningar
Låg påslagningsresistans på 8,5 mΩ, vilket optimerar energieffektiviteten
Max kontinuerlig dräneringsström på 78 A möjliggör hantering av krävande laster
Brett arbetstemperaturområde från -55 °C till 175 °C för tillförlitlig prestanda
Termisk resistans på 1,94 °C/W förbättrar värmeavledningsförmågan
100 % avalanche-testad, vilket säkerställer hög tillförlitlighet under transientförhållanden
Blyfri plätering och överensstämmelse med RoHS-standarder för miljövänlig design
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3N045AT AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3P08BBLHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3G04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3E07BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG501EGD3HRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3N03BAT AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L04BBJHRB AEC-Q101