Infineon Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 9.6 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, ISA
- RS-artikelnummer:
- 348-909
- Tillv. art.nr:
- ISA170230C04LMDSXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
110,51 kr
(exkl. moms)
138,14 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 4 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 11,051 kr | 110,51 kr |
| 100 - 240 | 10,494 kr | 104,94 kr |
| 250 - 490 | 9,71 kr | 97,10 kr |
| 500 - 990 | 8,938 kr | 89,38 kr |
| 1000 + | 8,602 kr | 86,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 348-909
- Tillv. art.nr:
- ISA170230C04LMDSXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | ISA | |
| Kapseltyp | PG-DSO-8 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 29.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Längd | 6.2mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC, IEC61249‐2‐21 | |
| Bredd | 5 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie ISA | ||
Kapseltyp PG-DSO-8 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 29.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.75mm | ||
Längd 6.2mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC, IEC61249‐2‐21 | ||
Bredd 5 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The Infineon OptiMOS 3 Power Transistors available in complementary N and P channel configurations, are designed for high efficiency switching applications. These MOSFETs feature very low on resistance (RDS(on)), which minimizes conduction losses and enhances overall system performance. Additionally, they offer superior thermal resistance, ensuring better heat dissipation and reliability in demanding applications. These characteristics make them ideal for various power management and energy efficient designs.
100% avalanche tested
Pb free lead plating and RoHS compliant
Halogen free according to IEC61249‑2‑21