Infineon Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 10.2 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, ISA

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

122,30 kr

(exkl. moms)

152,88 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 000 enhet(er) från den 20 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1806,115 kr122,30 kr
200 - 4805,813 kr116,26 kr
500 +5,382 kr107,64 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
348-906
Tillv. art.nr:
ISA150233C03LMDSXTMA
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N, Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

ISA

Kapseltyp

PG-DSO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

23.3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±20 V

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

14nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

IEC61249‐2‐21, JEDEC

Längd

6.2mm

Bredd

5 mm

Höjd

1.75mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The Infineon OptiMOS 3 Power Transistors available in complementary N and P channel configurations, are designed for high efficiency switching applications. These MOSFETs feature very low on resistance (RDS(on)), which minimizes conduction losses and enhances overall system performance. Additionally, they offer superior thermal resistance, ensuring better heat dissipation and reliability in demanding applications. These characteristics make them ideal for various power management and energy efficient designs.

100% avalanche tested

Pb free lead plating and RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249‑2‑21

Relaterade länkar