Infineon Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 10.2 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, ISA
- RS-artikelnummer:
- 348-906
- Tillv. art.nr:
- ISA150233C03LMDSXTMA
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
124,78 kr
(exkl. moms)
155,98 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 000 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 6,239 kr | 124,78 kr |
| 200 - 480 | 5,925 kr | 118,50 kr |
| 500 + | 5,488 kr | 109,76 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 348-906
- Tillv. art.nr:
- ISA150233C03LMDSXTMA
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | ISA | |
| Kapseltyp | PG-DSO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 23.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC61249‐2‐21, JEDEC | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Längd | 6.2mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie ISA | ||
Kapseltyp PG-DSO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 23.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5mm | ||
Standarder/godkännanden IEC61249‐2‐21, JEDEC | ||
Höjd 1.75mm | ||
Längd 6.2mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineons OptiMOS 3-effekttransistorer finns i kompletterande N- och P-kanalkonfigurationer, är utformade för högeffektiva omkopplingstillämpningar. Dessa MOSFET-transistorer har mycket låg påslagningsresistans (RDS(on)), vilket minimerar ledningsförluster och förbättrar systemets övergripande prestanda. Dessutom erbjuder de överlägsen värmebeständighet, vilket säkerställer bättre värmeavledning och tillförlitlighet i krävande tillämpningar. Dessa egenskaper gör dem idealiska för olika strömhantering och energieffektiva konstruktioner.
100 % avalanche-testade
Blyfri plätering och RoHS-kompatibel
Halogenfri enligt IEC61249‐2‐21
Relaterade länkar
- Infineon Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 9.6 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, ISA
- Infineon Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 7.9 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, ISA
- Infineon Dubbel N Kanal, MOSFET, 9.6 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, ISA
- Infineon Dubbel N Kanal, Effekttransistor, 7.9 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, ISA
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 14.9 A -30 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, OptiMOS
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -14.9 A -30 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, BSO080P03S H OptiMOSTM-P
- Infineon Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 8.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, ISA
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 61 A 650 V Förbättring, 20 Ben, PG-DSO-20, IGOT65