Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -14.9 A -30 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, BSO080P03S H OptiMOSTM-P

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

20 025,00 kr

(exkl. moms)

25 025,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +8,01 kr20 025,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-5241
Tillv. art.nr:
BSO080P03SHXUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-14.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

-30V

Kapseltyp

PG-DSO-8

Serie

BSO080P03S H OptiMOSTM-P

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

-102nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Framåtriktad spänning Vf

-0.82V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Bredd

40mm

Höjd

1.5mm

Längd

40mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons MOSFET är en P-kanals effekt-MOSFET. Dessa produkter uppfyller konsekvent de högsta kvalitets- och prestandakraven i nyckelspecifikationer för strömförsörjningsdesign, t. ex. på resistans och meritfaktor. Den har en drifttemperatur på 150 grader Celsius och är kvalificerad enligt JEDEC för måltillämpningar.

Logiknivå

Halogenfria

RoHS-kompatibel

Blyplätering utan bly

Förbättringsläge

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.