Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -14.9 A -30 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, BSO080P03S H OptiMOSTM-P

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

20 025,00 kr

(exkl. moms)

25 025,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +8,01 kr20 025,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-5241
Tillv. art.nr:
BSO080P03SHXUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-14.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

-30V

Kapseltyp

PG-DSO-8

Serie

BSO080P03S H OptiMOSTM-P

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

-102nC

Framåtriktad spänning Vf

-0.82V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.5mm

Standarder/godkännanden

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Längd

40mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon MOSFET is a P channel power MOSFET. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on state resistance and figure of merit characteristics. It has 150 degree Celsius operating temperature and qualified according JEDEC for target applications.

Logic level

Halogen free

RoHS compliant

Pb free lead plating

Enhancement mode

Relaterade länkar