Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 650 V Förbättring, 20 Ben, PG-DSO-20, IGOT65
- RS-artikelnummer:
- 351-879
- Tillv. art.nr:
- IGOT65R055D2AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
74,37 kr
(exkl. moms)
92,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 800 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 74,37 kr |
| 10 - 99 | 66,75 kr |
| 100 - 499 | 61,71 kr |
| 500 - 999 | 57,23 kr |
| 1000 + | 51,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 351-879
- Tillv. art.nr:
- IGOT65R055D2AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 28A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | PG-DSO-20 | |
| Serie | IGOT65 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 20 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.066Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Maximal effektförlust Pd | 89W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC for Industrial Applications | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 28A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp PG-DSO-20 | ||
Serie IGOT65 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 20 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.066Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Maximal effektförlust Pd 89W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC for Industrial Applications | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- ID
Infineons GaN-effekttransistor möjliggör ökad effektivitet vid högfrekvent drift. Som en del av CoolGaN 650 V G5-familjen uppfyller den högsta kvalitetsstandarden, vilket möjliggör mycket tillförlitliga konstruktioner med överlägsen effektivitet. Den är inrymd i ett DSO-paket med kylning på ovansidan och är utformad för optimal effektförlust i olika industriella tillämpningar.
650 V e-mode-effekttransistor
Ultrasnabb omkoppling
Ingen omvänd återställningsladdning
Kan användas för omvänd ledning
Låg grindladdning, låg utgångsladdning
Överlägsen motståndskraft vid kommutation
Låg dynamisk RDS(on)
Hög ESD-robusthet: 2 kV HBM - 1 kV CDM
Förpackning med kylning på ovansidan
JEDEC-kvalificerad (JESD47, JESD22)
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 61 A 650 V Förbättring, 20 Ben, PG-DSO-20, IGOT65
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 20 Ben, PG-DSO-20, IGOT65
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Förbättring, 20 Ben, PG-DSO-20, IGOT65
- Infineon, Effekttransistor, 60 A 600 V Förbättring, 20 Ben, PG-DSO-20-85, CoolGaN
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 28 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul 6, 165 mA, 28 Ben 17.5 V, PG-DSO-28
- Infineon, Styrenhet för resonansläge AC/DC, 20 Ben, PG-DSO-20
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 14.9 A -30 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, OptiMOS