Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 14.9 A -30 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 273-5244
- Tillv. art.nr:
- BSO301SPHXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
76,72 kr
(exkl. moms)
95,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 65 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 15,344 kr | 76,72 kr |
| 50 - 95 | 12,79 kr | 63,95 kr |
| 100 - 245 | 11,804 kr | 59,02 kr |
| 250 - 995 | 10,976 kr | 54,88 kr |
| 1000 + | 10,752 kr | 53,76 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5244
- Tillv. art.nr:
- BSO301SPHXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -30V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | PG-DSO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 136nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Längd | 40mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -30V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp PG-DSO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 136nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Höjd 1.5mm | ||
Längd 40mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon MOSFET is a P channel power MOSFET. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on state resistance and figure of merit characteristics. It has 150 degree Celsius operating temperature and qualified according JEDEC for target applications.
Logic level
Halogen free
RoHS compliant
Avalanche rated
Pb free lead plating
Enhancement mode
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal 14.9 A -30 V Förbättring PG-DSO-8, OptiMOS
- Infineon Typ P Kanal 14.9 A 20 V Förbättring DSO, OptiMOS P
- Infineon Typ P Kanal -14.9 A -30 V Förbättring PG-DSO-8, BSO080P03S H OptiMOSTM-P
- Infineon Typ N MOSFET 8 Ben ISA
- Infineon Typ N MOSFET 8 Ben ISA
- Infineon Typ N MOSFET 8 Ben ISA
- Infineon Typ P Kanal -22 A 150 V Förbättring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal -19.6 A 60 V Förbättring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
