Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 14.9 A -30 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 273-5244
- Tillv. art.nr:
- BSO301SPHXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
73,92 kr
(exkl. moms)
92,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 10 enhet(er) levereras från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 14,784 kr | 73,92 kr |
| 50 - 95 | 12,32 kr | 61,60 kr |
| 100 - 245 | 11,38 kr | 56,90 kr |
| 250 - 995 | 10,572 kr | 52,86 kr |
| 1000 + | 10,348 kr | 51,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5244
- Tillv. art.nr:
- BSO301SPHXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -30V | |
| Kapseltyp | PG-DSO-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 136nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 40mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Bredd | 40mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -30V | ||
Kapseltyp PG-DSO-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 136nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 40mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Höjd 1.5mm | ||
Bredd 40mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET är en P-kanals effekt-MOSFET. Dessa produkter uppfyller konsekvent de högsta kvalitets- och prestandakraven i nyckelspecifikationer för strömförsörjningsdesign, t. ex. på resistans och meritfaktor. Den har en drifttemperatur på 150 grader Celsius och är kvalificerad enligt JEDEC för måltillämpningar.
Logiknivå
Halogenfria
RoHS-kompatibel
Avalanche-klassad
Blyplätering utan bly
Förbättringsläge
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 14.9 A -30 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, OptiMOS
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 14.9 A 20 V Förbättring, 8 Ben, DSO, OptiMOS P
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -14.9 A -30 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, BSO080P03S H OptiMOSTM-P
- Infineon Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 9.6 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, ISA
- Infineon Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 7.9 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, ISA
- Infineon Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 10.2 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, ISA
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -59 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -32 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor