Infineon Dubbel N Kanal, Effekttransistor, 7.9 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, ISA

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

85,46 kr

(exkl. moms)

106,82 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1804,273 kr85,46 kr
200 - 4804,06 kr81,20 kr
500 - 9803,758 kr75,16 kr
1000 - 19803,461 kr69,22 kr
2000 +3,332 kr66,64 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
348-910
Tillv. art.nr:
ISA250250N04LMDSXTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Dubbel N

Produkttyp

Effekttransistor

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

ISA

Kapseltyp

PG-DSO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

25mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

3.8nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The Infineon OptiMOS 3 Power Transistor is a dual N-channel, logic level MOSFET designed for high performance power applications. It features very low on-resistance (RDS(on)), which helps reduce conduction losses and increase overall system efficiency. Additionally, the transistor offers superior thermal resistance, ensuring better heat management and reliability in demanding conditions. This combination of features makes it ideal for applications requiring efficient power switching and thermal performance.

100% avalanche tested

Pb free lead plating and RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249‑2‑21

Relaterade länkar