STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 350 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

22,29 kr

(exkl. moms)

27,86 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 922,29 kr
10 - 9920,05 kr
100 - 49918,59 kr
500 - 99917,25 kr
1000 +15,34 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
330-579
Tillv. art.nr:
STL325N4F8AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

350A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

PowerFLAT

Serie

STL

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.85mΩ

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

188W

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Fordonsstandard

AEC-Q101

RoHS-status: Undantagen

The STMicroelectronics N-channel enhancement mode Power MOSFET designed in STripFET F8 technology, featuring an enhanced trench gate structure. It delivers a state-of-the-art figure of merit with very low on-state resistance, reduced internal capacitances, and gate charge, enabling faster and more efficient switching.

100% avalanche tested

Low gate charge Qg

Relaterade länkar