STMicroelectronics Typ N Kanal, STripFET F8 effekt-MOSFET, 154 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

17,25 kr

(exkl. moms)

21,56 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 917,25 kr
10 - 9915,57 kr
100 - 49914,22 kr
500 - 99913,22 kr
1000 +11,98 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
330-570
Tillv. art.nr:
STL165N4F8AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

STripFET F8 effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

154A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

STL

Kapseltyp

PowerFLAT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

2.6mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

111W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

28nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

1mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.4mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

RoHS-status: Undantagen

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics N-channel enhancement mode Power MOSFET designed in STripFET F8 technology, featuring an enhanced trench gate structure. It delivers a state-of-the-art figure of merit with very low on-state resistance, reduced internal capacitances, and gate charge, enabling faster and more efficient switching.

100% avalanche tested

Low gate charge Qg

Relaterade länkar