STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 373 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT (3,3 x 3,3), STL AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 330-473
- Tillv. art.nr:
- STL130N4LF8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
17,92 kr
(exkl. moms)
22,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 475 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 17,92 kr |
| 10 - 99 | 16,13 kr |
| 100 - 499 | 15,23 kr |
| 500 - 999 | 14,00 kr |
| 1000 + | 12,21 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 330-473
- Tillv. art.nr:
- STL130N4LF8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 373A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT (3, 3 x 3, 3) | |
| Serie | STL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.6mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 188W | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 373A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerFLAT (3, 3 x 3, 3) | ||
Serie STL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.6mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximal effektförlust Pd 188W | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
RoHS-status: Undantagen
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics 40 V och 100 V effekt-MOSFET med högre effekttäthet, vilket möjliggör användning av mindre kapslingar för en kompakt systemdesign utan att kompromissa med elektrisk prestanda. De erbjuder förbättrad brusimmunitet genom förbättrad filtrering av utgångsspänningsöverskott.
Optimerad grindladdning för snabbare kommutationshastigheter
Högre immunitet mot felaktig påslagning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 167 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 304 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 350 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 290 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.2 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV, MDmesh II
- STMicroelectronics N Kanal, STripFET F8 effekt-MOSFET, 154 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 158 A 100 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL