STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 248-4899
- Tillv. art.nr:
- STL320N4LF8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
65,86 kr
(exkl. moms)
82,32 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 448 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 32,93 kr | 65,86 kr |
| 20 - 98 | 28,95 kr | 57,90 kr |
| 100 - 198 | 25,87 kr | 51,74 kr |
| 200 + | 22,23 kr | 44,46 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 248-4899
- Tillv. art.nr:
- STL320N4LF8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 55A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 12V | |
| Serie | STL | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 45mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 188W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6mm | |
| Bredd | 4.9mm | |
| Standarder/godkännanden | UL | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 12V | ||
Serie STL | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 45mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 188W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6mm | ||
Bredd 4.9mm | ||
Standarder/godkännanden UL | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics-produkt är en N-kanals effekt-MOSFET som använder STripFET F8-teknik med en förbättrad trench-portstruktur. Den säkerställer mycket låg påslagningsresistans samtidigt som den minskar interna kapacitans och grindladdning för snabbare och mer effektiv omkoppling.
Används för omkopplingstillämpningar
MSL1-klass
175 °C drifttemperatur
100-procentigt lavintestat
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 144 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, Stl
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 268 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 167 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 304 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 350 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 167 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 290 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101