STMicroelectronics Typ N Kanal, N-kanals MOSFET, 154 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- RS-artikelnummer:
- 330-475
- Tillv. art.nr:
- STL160N4F8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
14,11 kr
(exkl. moms)
17,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 14,11 kr |
| 10 - 99 | 12,77 kr |
| 100 - 499 | 11,65 kr |
| 500 - 999 | 10,98 kr |
| 1000 + | 9,63 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 330-475
- Tillv. art.nr:
- STL160N4F8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | N-kanals MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 154A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.6mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 111W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp N-kanals MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 154A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.6mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximal effektförlust Pd 111W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
- COO (ursprungsland):
- CN
The STMicroelectronics N-channel enhancement mode Power MOSFET designed in STripFET F8 technology, featuring an enhanced trench gate structure. It delivers a state-of-the-art figure of merit with very low on-state resistance, reduced internal capacitances, and gate charge, enabling faster and more efficient switching.
100% avalanche tested
Low gate charge Qg
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 154 A 40 V PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal 167 A 40 V Förbättring PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal 304 A 40 V PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal 290 A 40 V PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N-kanal Kanal 144 A 40 V Förbättring PowerFLAT, Stl
- STMicroelectronics Typ N Kanal 350 A 40 V PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal 203 A 40 V PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal 158 A 100 V PowerFLAT, STL