STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 167 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 330-243
- Tillv. art.nr:
- STL145N4LF8AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
15,68 kr
(exkl. moms)
19,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 908 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 15,68 kr |
| 10 - 99 | 14,11 kr |
| 100 - 499 | 12,99 kr |
| 500 - 999 | 12,10 kr |
| 1000 + | 10,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 330-243
- Tillv. art.nr:
- STL145N4LF8AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 167A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.6mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 94W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 167A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.6mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximal effektförlust Pd 94W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The STMicroelectronics N-channel enhancement mode Power MOSFET designed in Strip FET F8 technology featuring an enhanced trench gate structure. It ensures a state-of-the-art of figure of merit for very low on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge for faster and more efficient switching.
AEC-Q101 qualified
MSL1 grade
175°C maximum operating junction temperature
100% avalanche tested
Low gate charge Qg
Wet table flank package
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 167 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 350 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 304 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 290 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 373 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT (3,3 x 3,3), STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, STripFET F8 effekt-MOSFET, 154 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, N-kanals MOSFET, 154 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL