DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 0.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, ZXMS6008DN8 AEC-Q100

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

5,77 kr

(exkl. moms)

7,21 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 360 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 95,77 kr
10 - 995,26 kr
100 - 4994,82 kr
500 - 9994,37 kr
1000 +4,03 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
216-349
Tillv. art.nr:
ZXMS6008DN8-13
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

0.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

ZXMS6008DN8

Kapseltyp

SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

800mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal effektförlust Pd

2.13W

Transistorkonfiguration

Dubbel

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

4.9mm

Höjd

1.45mm

Bredd

6 mm

Standarder/godkännanden

JEDEC, UL 94V-0, RoHS

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q100

COO (ursprungsland):
CN
DiodesZetex MOSFET är en dubbel självskyddad lågsidig IntelliFET MOSFET med logiknivåingång. Den integrerar övertemperatur-, överströms-, överspännings- och ESD-skyddad logiknivåfunktionalitet. Den är idealisk som en allround-omkopplare som drivs av 3,3 V eller 5 V mikrokontroller i tuffa miljöer där standard MOSFET inte är tillräckligt robusta.

Kompakt högeffektsdissipationshölje

Låg ingångsström

Kortslutningsskydd med automatisk omstart

Överspänningsskydd

Termisk avstängning med automatisk omstart

Överströmsskydd

Ingång med ESD-skydd

Hög kontinuerlig strömklassning

Relaterade länkar