DiodesZetex 1 N Kanal Dubbel, MOSFET, 17.1 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMT6015LPDW AEC-Q100, AEC-Q101,
- RS-artikelnummer:
- 213-9212
- Tillv. art.nr:
- DMT6015LPDW-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
- RS-artikelnummer:
- 213-9212
- Tillv. art.nr:
- DMT6015LPDW-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 17.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PowerDI5060 | |
| Serie | DMT6015LPDW | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.18Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 7.9W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.7V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Bredd | 6.4mm | |
| Längd | 5.15mm | |
| Standarder/godkännanden | MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PowerDI5060 | ||
Serie DMT6015LPDW | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.18Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 7.9W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.7V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Bredd 6.4mm | ||
Längd 5.15mm | ||
Standarder/godkännanden MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | ||
Höjd 1.1mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
Relaterade länkar
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 17.1 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMT6015LPDW AEC-Q100, AEC-Q101,
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 33 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMNH6035 AEC-Q100, AEC-Q101,
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 46.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH4008LPDW AEC-Q200, AEC-Q100,
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 46.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH4008LPDWQ AEC-Q101, AEC-Q200,
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 33.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 150 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMT4001 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
