DiodesZetex N Kanal Dubbel, MOSFET, 21.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8, DMT AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- RS-artikelnummer:
- 222-2874
- Tillv. art.nr:
- DMT4015LDV-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 2000 enheter)*
5 980,00 kr
(exkl. moms)
7 480,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | 2,99 kr | 5 980,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-2874
- Tillv. art.nr:
- DMT4015LDV-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 21.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerDI3333-8 | |
| Serie | DMT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.02Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.7V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerDI3333-8 | ||
Serie DMT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.02Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.7V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
DiodesZetex N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen (RDS(ON)) samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
Lågt motstånd vid tändning
Låg ingångskapacitans
Snabb växlingshastighet
Lågt ingångs-/utgångsläckage
ESD-skyddad grind
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 21.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8, DMT AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 26.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 31.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 10.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, VDFN-3030, DMT AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 7.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 30.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMT47 AEC-Q101