DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 46.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH4008LPDW AEC-Q200, AEC-Q100,
- RS-artikelnummer:
- 213-9246
- Tillv. art.nr:
- DMTH4008LPDW-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
64,95 kr
(exkl. moms)
81,19 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 03 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 6,495 kr | 64,95 kr |
| 50 - 90 | 6,362 kr | 63,62 kr |
| 100 - 240 | 5,667 kr | 56,67 kr |
| 250 - 990 | 5,589 kr | 55,89 kr |
| 1000 + | 4,558 kr | 45,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 213-9246
- Tillv. art.nr:
- DMTH4008LPDW-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 46.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerDI5060 | |
| Serie | DMTH4008LPDW | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0123Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 39.4W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, MIL-STD-202 | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 5.15mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 46.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerDI5060 | ||
Serie DMTH4008LPDW | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0123Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Maximal effektförlust Pd 39.4W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, MIL-STD-202 | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 5.15mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
DiodesZetex DMTH4008LPDW-serien är en dubbel N-kanal MOSFET som är utformad för att minimera påslagningsresistansen, bibehålla överlägsen omkopplingsprestanda vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
Låg ingångskapacitans
Snabb kopplingshastighet
Relaterade länkar
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 46.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH4008LPDW AEC-Q200, AEC-Q100,
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 46.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH4008LPDWQ AEC-Q101, AEC-Q200,
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 33 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMNH6035 AEC-Q100, AEC-Q101,
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 17.1 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMT6015LPDW AEC-Q100, AEC-Q101,
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 33.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 150 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMT4001 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100