DiodesZetex 1 N Kanal Dubbel, MOSFET, 46.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH4008LPDW AEC-Q200, AEC-Q100,

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
213-9246
Tillv. art.nr:
DMTH4008LPDW-13
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

46.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

DMTH4008LPDW

Kapseltyp

PowerDI5060

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.0123Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

39.4W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.8nC

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Dubbel

Höjd

1.1mm

Standarder/godkännanden

J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, MIL-STD-202

Bredd

6.4mm

Längd

5.15mm

Antal element per chip

1

Fordonsstandard

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

DiodesZetex DMTH4008LPDW-serien är en dubbel N-kanal MOSFET som är utformad för att minimera påslagningsresistansen, bibehålla överlägsen omkopplingsprestanda vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.

Låg ingångskapacitans

Snabb kopplingshastighet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.