STMicroelectronics Dubbel N Kanal, MOSFET, 0.4 A 450 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SuperMESH

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 10 enheter)*

172,03 kr

(exkl. moms)

215,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 5 930 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per tejp*
10 - 9017,203 kr172,03 kr
100 - 24016,341 kr163,41 kr
250 - 49015,176 kr151,76 kr
500 - 99013,933 kr139,33 kr
1000 +13,418 kr134,18 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
151-447
Tillv. art.nr:
STS1DNC45
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Dubbel N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

0.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

450V

Kapseltyp

SO-8

Serie

SuperMESH

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

4.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Maximal effektförlust Pd

2W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

10nC

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET har utvecklats med Super MESH-teknik, genom optimering av en väl etablerad Power MESH-layout. Förutom en betydande minskning av on-resistansen är denna enhet utformad för att säkerställa en hög nivå av dv/dt-kapacitet för de mest krävande applikationerna.

Standardkontur för enkel automatiserad montering på ytan

Minimal grindladdning

Relaterade länkar