STMicroelectronics Dubbel N Kanal, MOSFET, 0.4 A 450 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 151-447
- Tillv. art.nr:
- STS1DNC45
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
176,06 kr
(exkl. moms)
220,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Håller på att utgå
- Slutlig(a) 5 930 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 17,606 kr | 176,06 kr |
| 100 - 490 | 12,051 kr | 120,51 kr |
| 500 - 990 | 10,158 kr | 101,58 kr |
| 1000 - 2490 | 9,811 kr | 98,11 kr |
| 2500 + | 9,408 kr | 94,08 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-447
- Tillv. art.nr:
- STS1DNC45
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Dubbel N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 0.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 450V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Dubbel N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 0.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 450V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie SuperMESH | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET har utvecklats med Super MESH-teknik, genom optimering av en väl etablerad Power MESH-layout. Förutom en betydande minskning av on-resistansen är denna enhet utformad för att säkerställa en hög nivå av dv/dt-kapacitet för de mest krävande applikationerna.
Standardkontur för enkel automatiserad montering på ytan
Minimal grindladdning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Dubbel N Kanal, MOSFET, 0.4 A 450 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SuperMESH
- Vishay 4 Dubbel N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SI9634DY
- Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 6.6 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Vishay Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs, 8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQ4940CEY AEC-Q101
- Vishay Dubbel N-kanal Kanal, MOSFET, 7.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SI9945CDY
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 19.8 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 10 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET