DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 0.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, ZXMS6008DN8
- RS-artikelnummer:
- 216-352
- Tillv. art.nr:
- ZXMS6008N8-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
3,92 kr
(exkl. moms)
4,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,92 kr |
| 10 - 99 | 3,47 kr |
| 100 - 499 | 3,25 kr |
| 500 - 999 | 3,02 kr |
| 1000 + | 2,69 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 216-352
- Tillv. art.nr:
- ZXMS6008N8-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 0.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | ZXMS6008DN8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 700mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.98W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 0.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie ZXMS6008DN8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 700mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.98W | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
DiodesZetex MOSFET är en självskyddad lågsidig IntelliFET® MOSFET med logiknivåingång. Den integrerar övertemperatur-, överströms-, överspännings- och ESD-skyddad logiknivåfunktionalitet. Den är idealisk som en allround-omkopplare som drivs av 3,3 V eller 5 V mikrokontroller i tuffa miljöer där standard MOSFET inte är tillräckligt robusta.
Kompakt högeffektsdissipationshölje
Låg ingångsström
Kortslutningsskydd med automatisk omstart
Överspänningsskydd
Termisk avstängning med automatisk omstart
Överströmsskydd
Ingång med ESD-skydd
Hög kontinuerlig strömklassning
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 0.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, ZXMS6008DN8
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 0.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, ZXMS6008DN8 AEC-Q100
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 0.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, ZXMS6008N8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMT616
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 14.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMT67M8LSS
- DiodesZetex 1 Typ P Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 6.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 7 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMP2040USS AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 6.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMN6022 AEC-Q101