STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 30 enheter)*

7 089,72 kr

(exkl. moms)

8 862,15 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 12 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +236,324 kr7 089,72 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-234
Tillv. art.nr:
SCT040W120G3AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

40A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

SCT

Kapseltyp

Hip-247

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

40mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

22 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

56nC

Maximal effektförlust Pd

312W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

200°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Fordonsstandard

AEC-Q101

The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Relaterade länkar