STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, HIP-247-3, SCT AEC-Q101

Denna bild representerar endast produktgruppen

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

198,24 kr

(exkl. moms)

247,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 279 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 4198,24 kr
5 +192,19 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
719-468
Tillv. art.nr:
SCT018W65G3AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N-kanal

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

55A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

HIP-247-3

Serie

SCT

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

27mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

2.6V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

398W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

76nC

Maximal arbetstemperatur

200°C

Längd

15.75mm

Höjd

20.15mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapaciteter och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda när det gäller frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.

AEC-Q101-godkänd

Mycket snabb och robust inre kroppsdiod

Extremt låg grindladdning och ingångskapacitet

Relaterade länkar