STMicroelectronics N Kanal, SiC-effektmodul, 12 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
202-4776
Tillv. art.nr:
SCT10N120AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

SiC-effektmodul

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

SCT

Kapseltyp

Hip-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.52Ω

Kanalläge

Avskrivningar

Framåtriktad spänning Vf

4.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

150W

Maximal arbetstemperatur

200°C

Längd

15.75mm

Bredd

5.15mm

Höjd

34.95mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

STMicroelectronics silikonkarbid-effekt-MOSFET av fordonskvalitet har mycket snäv variation av påslagningsmotstånd mot temperatur. Den har mycket hög driftstemperaturkapacitet.

Mycket snabb och robust inre kroppsdiod

Låg kapacitans

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.