STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 110 A 900 V Förbättring, 3 Ben, HIP-247-3, Sct AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 719-464
- Tillv. art.nr:
- SCT012W90G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
247,41 kr
(exkl. moms)
309,26 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 286 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 247,41 kr |
| 5 + | 240,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 719-464
- Tillv. art.nr:
- SCT012W90G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 110A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 900V | |
| Kapseltyp | HIP-247-3 | |
| Serie | Sct | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 138nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 625W | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Längd | 15.75mm | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 110A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 900V | ||
Kapseltyp HIP-247-3 | ||
Serie Sct | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 138nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Framåtriktad spänning Vf 2.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 625W | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Längd 15.75mm | ||
Bredd 5.15mm | ||
Höjd 20.15mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapaciteter och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda när det gäller frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.
AEC-Q101-godkänd
Mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet
Växlingsprestanda med hög hastighet
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, HIP-247-3, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 56 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, Sct
- STMicroelectronics Typ N Kanal, 110 A 900 V Förbättring, 3 Ben, HIP-247-3, STPOWER Gen3 SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET-moduler, 45 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT