STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 215-073
- Tillv. art.nr:
- SCT025W120G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 enhet)*
303,86 kr
(exkl. moms)
379,82 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 303,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-073
- Tillv. art.nr:
- SCT025W120G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 56A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 27mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 388W | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 5mm | |
| Längd | 34.8mm | |
| Bredd | 15.6 mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 56A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 27mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 388W | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 5mm | ||
Längd 34.8mm | ||
Bredd 15.6 mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode