STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 56 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 215-073
- Tillv. art.nr:
- SCT025W120G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 2%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
191,30 kr
(exkl. moms)
239,12 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 191,30 kr | - |
| 10 - 99 | 187,26 kr | 2% |
| 100 - 599 | 184,91 kr | 3% |
| 600 + | 182,67 kr | 4% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-073
- Tillv. art.nr:
- SCT025W120G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 56A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1.2kV | |
| Kapseltyp | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 27mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 73nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 388W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Längd | 34.8mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 15.6mm | |
| Höjd | 5mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 56A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1.2kV | ||
Kapseltyp Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 27mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 73nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 388W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Längd 34.8mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 15.6mm | ||
Höjd 5mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapaciteter och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda när det gäller frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.
Växlingsprestanda med hög hastighet
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 56 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 40 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 60 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics, MOSFET, 30 A 1.2 kV, 3 Ben, Hip-247, SCT0 AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 33 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA40N12G24AG AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 56 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, Sct
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 40 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, HIP-247-3, SCT AEC-Q101