STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

114,24 kr

(exkl. moms)

142,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 750 enhet(er) från den 24 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +22,848 kr114,24 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
151-416
Distrelec artikelnummer:
304-29-904
Tillv. art.nr:
STP6NK60ZFP
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-220FP

Serie

SuperMESH

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.2Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±30 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

33nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

30.6mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

10.4 mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET developed using Super MESH technology, achieved through optimization of well established strip based Power MESH layout. In addition to a significant reduction in on resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

100% avalanche tested

Gate charge minimized

Very low intrinsic capacitance

Relaterade länkar