STMicroelectronics Typ N Kanal, SuperMESH effekt-MOSFET, 4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 687-5190
- Tillv. art.nr:
- STB4NK60ZT4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
131,71 kr
(exkl. moms)
164,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 16 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 26,342 kr | 131,71 kr |
| 50 - 245 | 15,462 kr | 77,31 kr |
| 250 - 495 | 10,906 kr | 54,53 kr |
| 500 + | 8,508 kr | 42,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-5190
- Tillv. art.nr:
- STB4NK60ZT4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | SuperMESH effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 18.8nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 70W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC JESD97 | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp SuperMESH effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie SuperMESH | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 18.8nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 70W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC JESD97 | ||
Höjd 4.6mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 250 V till 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, SuperMESH effekt-MOSFET, 4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Zenerskyddad SuperMESH MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 10 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 10.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh, SuperMESH