STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
761-2751
Tillv. art.nr:
STF13NM60N
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

11A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-220FP

Serie

MDmesh

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

360mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

25W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

30nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-25V, +25V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

16.4mm

Bredd

4.6mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.4mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal 600 V, 280 mOhm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET i en TO-220FP-kapsel


Dessa enheter är N-kanaliga effekt-MOSFET-transistorer som utvecklats med den andra generationen av MDmesh-teknik. Dessa revolutionerande effekt-MOSFET-transistorer förknippar en vertikal struktur med företagets remslayout för att ge en av världens lägsta påslagningsresistans och grindladdning. De är därför lämpliga för de mest krävande högeffektiva omvandlarna.

Alla funktioner


  • 100 % avalanche-testade

  • Låg ingångskapacitans och grindladdning

  • Låg grindingångsresistans

    • Relaterade länkar

    Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

    E-postadress

    De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.