STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
761-2751
Tillv. art.nr:
STF13NM60N
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

11A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

MDmesh

Kapseltyp

TO-220FP

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

360mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±25 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

25W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

30nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

16.4mm

Längd

10.4mm

Bredd

4.6 mm

Fordonsstandard

Nej

N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package


These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.

All features


  • 100% avalanche tested

  • Low input capacitance and gate charge

  • Low gate input resistance

    • Relaterade länkar