STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 151-415
- Tillv. art.nr:
- STP6NK60ZFP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
900,50 kr
(exkl. moms)
1 125,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 700 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 18,01 kr | 900,50 kr |
| 250 - 450 | 16,802 kr | 840,10 kr |
| 500 + | 14,408 kr | 720,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-415
- Tillv. art.nr:
- STP6NK60ZFP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Kapseltyp | TO-220FP | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 10.4mm | |
| Höjd | 30.6mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie SuperMESH | ||
Kapseltyp TO-220FP | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 10.4mm | ||
Höjd 30.6mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET har utvecklats med hjälp av Super MESH-teknik, som uppnås genom optimering av väl etablerad remsbaserad Power MESH-layout. Förutom en betydande minskning av on-resistansen är denna enhet utformad för att säkerställa en hög nivå av dv/dt-kapacitet för de mest krävande applikationerna.
100 % avalanche-testade
Minimal grindladdning
Mycket låg inneboende kapacitans
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Zenerskyddad SuperMESH MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, SuperMESH effekt-MOSFET, 4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh