STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 151-433
- Distrelec artikelnummer:
- 304-37-473
- Tillv. art.nr:
- STF3NK80Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
157,25 kr
(exkl. moms)
196,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 350 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 15,725 kr | 157,25 kr |
| 100 - 490 | 13,72 kr | 137,20 kr |
| 500 - 990 | 11,267 kr | 112,67 kr |
| 1000 + | 9,632 kr | 96,32 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-433
- Distrelec artikelnummer:
- 304-37-473
- Tillv. art.nr:
- STF3NK80Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-220FP | |
| Serie | SuperMESH | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 25W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-220FP | ||
Serie SuperMESH | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximal effektförlust Pd 25W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET har utvecklats med Super MESH-teknik, genom optimering av en väl etablerad Power MESH-layout. Förutom en betydande minskning av on-resistansen är denna enhet utformad för att säkerställa en hög nivå av dv/dt-kapacitet för de mest krävande applikationerna.
100 % avalanche-testade
Minimal grindladdning
Mycket låg inneboende kapacitans
Zenerskyddad
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH