STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 714-1085
- Tillv. art.nr:
- STP7NK80ZFP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 20 till för att spara 294,70 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
78,18 kr
(exkl. moms)
97,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 22 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 1 826 enhet(er) från den 20 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 39,09 kr | 78,18 kr | - |
| 20 - 98 | 24,355 kr | 48,71 kr | 294,70 kr |
| 100 - 198 | 18,57 kr | 37,14 kr | 2 052,00 kr |
| 200 + | 16,615 kr | 33,23 kr | 4 495,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 714-1085
- Tillv. art.nr:
- STP7NK80ZFP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Kapseltyp | TO-220FP | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.8Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC JESD97 | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 9.3mm | |
| Bredd | 4.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie SuperMESH | ||
Kapseltyp TO-220FP | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.8Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC JESD97 | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 9.3mm | ||
Bredd 4.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 700 V till 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5.2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5.2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 10.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, SuperMESH effekt-MOSFET, 4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh, SuperMESH