DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 11.1 A 60 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMT6016LFDF AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- RS-artikelnummer:
- 921-1170
- Tillv. art.nr:
- DMT6016LFDF-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
89,42 kr
(exkl. moms)
111,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 980 enhet(er) levereras från den 28 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 + | 4,471 kr | 89,42 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 921-1170
- Tillv. art.nr:
- DMT6016LFDF-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | UDFN | |
| Serie | DMT6016LFDF | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 27mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.9W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.7V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.58mm | |
| Längd | 2.05mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp UDFN | ||
Serie DMT6016LFDF | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 27mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.9W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.7V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.58mm | ||
Längd 2.05mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
N-kanal MOSFET, 40 V till 90 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 11.1 A 60 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMT6016LFDF AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 11.5 A 50 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMT AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 15 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP1009 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 9.4 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMN AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 8.7 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex 1 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.2 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP2090UFDB AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.1 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020, DMP AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100