DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 9.4 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMN AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 921-1063
- Tillv. art.nr:
- DMN2022UFDF-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Få en mängdrabatt
Lägg till 500 till för att spara 43%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
189,30 kr
(exkl. moms)
236,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 06 december 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 50 - 450 | 3,786 kr | 189,30 kr | - |
| 500 - 1200 | 2,121 kr | 106,05 kr | 43% |
| 1250 - 4950 | 1,512 kr | 75,60 kr | 60% |
| 5000 + | 1,366 kr | 68,30 kr | 63% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 921-1063
- Tillv. art.nr:
- DMN2022UFDF-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | DMN | |
| Kapseltyp | UDFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 50mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.03W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 700mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -8V, +8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 2.05mm | |
| Längd | 2.05mm | |
| Höjd | 580μm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie DMN | ||
Kapseltyp UDFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 50mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.03W | ||
Framåtriktad spänning Vf 700mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -8V, +8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 2.05mm | ||
Längd 2.05mm | ||
Höjd 580μm | ||
Fordonsstandard AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
N-kanal MOSFET, 12 V till 28 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 9.4 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMN AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 9.8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMN AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.6 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 11.1 A 60 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMT6016LFDF AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 11.5 A 50 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMT AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex N Kanal Dubbel, MOSFET, 800 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal Dubbel, MOSFET, 217 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200