DiodesZetex Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.1 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020, DMP AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- RS-artikelnummer:
- 222-2851
- Tillv. art.nr:
- DMP2045UFDB-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
3 258,00 kr
(exkl. moms)
4 074,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 30 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,086 kr | 3 258,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-2851
- Tillv. art.nr:
- DMP2045UFDB-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | DMP | |
| Kapseltyp | UDFN-2020 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.09Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.29W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.75V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie DMP | ||
Kapseltyp UDFN-2020 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.09Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.29W | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.75V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
DiodesZetex Dual P-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen (RDS(ON)) samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
PCB-fotavtryck på 4 mm 2
Lågt motstånd vid tändning
Låg ingångskapacitans
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.1 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020, DMP AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 7.7 A 30 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET 30 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 8.7 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 40 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 12.8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 6.5 A 40 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 6.8 A 30 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q101