DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 8.7 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 182-7286
- Tillv. art.nr:
- DMP1009UFDF-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
227,80 kr
(exkl. moms)
284,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 200 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 4,556 kr | 227,80 kr |
| 250 - 450 | 3,642 kr | 182,10 kr |
| 500 - 950 | 3,311 kr | 165,55 kr |
| 1000 - 1950 | 2,934 kr | 146,70 kr |
| 2000 + | 2,766 kr | 138,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 182-7286
- Tillv. art.nr:
- DMP1009UFDF-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 12V | |
| Kapseltyp | UDFN | |
| Serie | DMP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 30mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.05mm | |
| Höjd | 0.58mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 12V | ||
Kapseltyp UDFN | ||
Serie DMP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 30mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.05mm | ||
Höjd 0.58mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Denna MOSFET är utformad för att minimera på-motståndet (RDS(ON)) och ändå bibehålla överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
0,6 mm profil – idealisk för lågprofiltillämpningar
PCB-fotavtryck på 4 mm 2
Lågt motstånd vid tändning
Snabb växlingshastighet
Användningsområden
Applikation för batterihantering
Strömhanteringsfunktioner
DC/DC-omvandlare
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 8.7 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.1 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020, DMP AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 40 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 12.8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 6.5 A 40 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 6.8 A 30 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 150 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100