DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 8.7 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 182-7286
- Tillv. art.nr:
- DMP1009UFDF-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 50 enheter)*
149,50 kr
(exkl. moms)
187,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 45 950 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 2,99 kr | 149,50 kr |
| 250 - 450 | 2,392 kr | 119,60 kr |
| 500 - 950 | 2,171 kr | 108,55 kr |
| 1000 - 1950 | 1,926 kr | 96,30 kr |
| 2000 + | 1,812 kr | 90,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 182-7286
- Tillv. art.nr:
- DMP1009UFDF-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 12V | |
| Kapseltyp | UDFN | |
| Serie | DMP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 30mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 44nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.05mm | |
| Höjd | 0.58mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 12V | ||
Kapseltyp UDFN | ||
Serie DMP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 30mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 44nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.05mm | ||
Höjd 0.58mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
0.6mm profile – ideal for low profile applications
PCB footprint of 4mm2
Low On-Resistance
Fast Switching Speed
Applications
Battery Management Application
Power Management Functions
DC-DC Converters
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal 8.7 A 12 V Förbättring UDFN AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal Dubbel 3.1 A 20 V Förbättring UDFN-2020 AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ P Kanal 6.5 A 40 V Förbättring UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal 12.8 A 12 V Förbättring UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal 6.8 A 30 V Förbättring UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal 6 A 40 V Förbättring UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal 21 A 30 V Förbättring PowerDI5060 AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ P Kanal 150 A 20 V Förbättring PowerDI5060 AEC-Q101, AEC-Q200
