Vishay 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
919-4334
Tillv. art.nr:
SI7288DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SO-8

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

22mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

15.6W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

10nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Höjd

1.07mm

Bredd

5mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

5.99mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Dubbel N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.