Vishay 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 919-4334
- Tillv. art.nr:
- SI7288DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
19 314,00 kr
(exkl. moms)
24 144,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 9 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 6,438 kr | 19 314,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 919-4334
- Tillv. art.nr:
- SI7288DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 22mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 15.6W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.99mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.07mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 22mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 15.6W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.99mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.07mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Dubbel N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 8 Ben, ChipFET, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 6.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 2.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 45.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET