Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 165-2751
- Tillv. art.nr:
- SI9933CDY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 165-2751
- Tillv. art.nr:
- SI9933CDY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 58mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -12V, +12V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -50°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.55mm | |
| Längd | 5mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 58mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -12V, +12V | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Minsta arbetsstemperatur -50°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.55mm | ||
Längd 5mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Dubbel P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 6.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, TrenchFET effekt-MOSFET, 4.7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si9407BDY
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 2.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 8 Ben, ChipFET, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 1.1 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 3.1 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET