Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 45.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

5 322,00 kr

(exkl. moms)

6 654,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 26 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30001,774 kr5 322,00 kr
6000 +1,706 kr5 118,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
134-9164
Tillv. art.nr:
SIRA88DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

45.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SO-8

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

10mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

16.8nC

Maximal effektförlust Pd

25W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.12mm

Längd

6.25mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar