Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

13 407,50 kr

(exkl. moms)

16 760,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 2 500 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +5,363 kr13 407,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
180-7298
Tillv. art.nr:
SI4900DY-T1-E3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SO-8

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.058Ω

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

13nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

3.1W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

4.8mm

Standarder/godkännanden

IEC 61249-2-21

Höjd

1.35mm

Fordonsstandard

Nej

Vishay Siliconix SI4900DY-serien TrenchFET med dubbel N-kanal effekt-MOSFET har en dränerings-till-källspänning på 60 V. Den används i LCD-TV och CCFL-omvandlare.

Blyfria

Halogenfria

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.