Vishay 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

133,73 kr

(exkl. moms)

167,16 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 9 370 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +13,373 kr133,73 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
818-1390
Tillv. art.nr:
SI7288DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

SO-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

22mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

15.6W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

10nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Höjd

1.07mm

Längd

5.99mm

Bredd

5mm

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Dubbel N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.