Sök efter MPN

STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, Hip-247

RS-artikelnummer:: 907-4741
Tillv. art.nr:: SCT30N120
Tillverkare / varumärke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, Hip-247

Få en mängdrabatt

Lägg till 10 till för att spara 67,20 kr

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

193,42 kr

(exkl. moms)

241,78 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Sista RS lager

2 kvar, redo att levereras
Sista 290 enhet(er) levereras från den 20 november 2026

Enheter	Per enhet	Besparing
1 - 9	193,42 kr	-
10 +	186,70 kr	67,20 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 907-4741
Tillv. art.nr:: SCT30N120
Tillverkare / varumärke:: STMicroelectronics

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	STMicroelectronics
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	45A
	Maximal källspänning för dränering Vds	1.2kV
	Kapseltyp	Hip-247
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	100mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-10V, +25V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	105nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	270W
	Framåtriktad spänning Vf	3.5V
	Maximal arbetstemperatur	200°C
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	15.75mm
	Höjd	20.15mm
	Bredd	5.15mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke STMicroelectronics
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45A
	Maximal källspänning för dränering Vds 1.2kV
	Kapseltyp Hip-247
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 100mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -10V, +25V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 105nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 270W
	Framåtriktad spänning Vf 3.5V
	Maximal arbetstemperatur 200°C
	Standarder/godkännanden No
	Längd 15.75mm
	Höjd 20.15mm
	Bredd 5.15mm
	Fordonsstandard Nej

N-kanalig MOSFET i kiselkarbid (SiC), STMicroelectronics

MOSFET:er i kiselkarbid (SiC) har mycket låg statisk drain-source on-resistans för 1200V-klassningen i kombination med utmärkt switchprestanda, vilket ger effektivare och kompaktare system.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.