IXYS 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 132 A 250 V Förbättring, 24 Ben, SMPD, GigaMOS, HiperFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

504,58 kr

(exkl. moms)

630,72 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 18 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 4504,58 kr
5 - 9411,38 kr
10 - 19400,06 kr
20 - 39387,52 kr
40 +377,89 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
875-2481
Tillv. art.nr:
MMIX1F180N25T
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

132A

Maximal källspänning för dränering Vds

250V

Serie

GigaMOS, HiperFET

Kapseltyp

SMPD

Typ av fäste

Yta

Antal ben

24

Maximal drain-källresistans Rds

13mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

570W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-30V, +30V

Transistorkonfiguration

Enkel

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

25.25mm

Bredd

23.25mm

Höjd

5.7mm

Antal element per chip

1

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFETTM GigaMOSTM-serien


MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett sortiment av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.