IXYS N Kanal, MOSFET, 360 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, GigaMOS Trench HiperFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

344,58 kr

(exkl. moms)

430,72 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 53 enhet(er) är redo att levereras
  • Plus 16 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
  • Dessutom levereras 845 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 1344,58 kr
2 - 4310,58 kr
5 - 9296,24 kr
10 - 19286,05 kr
20 +280,45 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
125-8041
Distrelec artikelnummer:
302-53-370
Tillv. art.nr:
IXFN360N10T
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

360A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

SOT-227

Serie

GigaMOS Trench HiperFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

2.6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

525nC

Maximal effektförlust Pd

830W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

9.6mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

25.07mm

Längd

38.23mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™-serie


MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.