IXYS N Kanal, MOSFET, 132 A 500 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET, Polar3
- RS-artikelnummer:
- 920-0984
- Tillv. art.nr:
- IXFB132N50P3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Antal (1 rör med 25 enheter)*
4 959,35 kr
(exkl. moms)
6 199,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 08 mars 2027
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 25 + | 198,374 kr | 4 959,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 920-0984
- Tillv. art.nr:
- IXFB132N50P3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 132A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Serie | HiperFET, Polar3 | |
| Kapseltyp | PLUS264 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 39mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.89kW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 250nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30, +30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5.31mm | |
| Längd | 20.29mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 26.59mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 132A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Serie HiperFET, Polar3 | ||
Kapseltyp PLUS264 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 39mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.89kW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 250nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30, +30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5.31mm | ||
Längd 20.29mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 26.59mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- US
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™-serien
MOSFET-transistorer, IXYS
Relaterade länkar
- IXYS N Kanal, MOSFET, 132 A 500 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 110 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 210 A 300 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 78 A 500 V Förbättring, 3 Ben, PLUS247, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 90 A 850 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET
- IXYS N Kanal, MOSFET, 16 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 26 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-3P, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 34 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar3
