IXYS 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 132 A 250 V Förbättring, 24 Ben, SMPD, GigaMOS, HiperFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (20 enheter, i ett rör med 20)*

8 979,94 kr

(exkl. moms)

11 224,92 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 20 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
20 +448,997 kr8 979,94 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
146-1770
Tillv. art.nr:
MMIX1F180N25T
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

132A

Maximal källspänning för dränering Vds

250V

Kapseltyp

SMPD

Serie

GigaMOS, HiperFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

24

Maximal drain-källresistans Rds

13mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-30, +30V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

570W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Enkel

Längd

25.25mm

Höjd

5.7mm

Bredd

23.25mm

Antal element per chip

1

COO (ursprungsland):
DE

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFETTM GigaMOSTM-serien


MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett sortiment av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.