IXYS N Kanal, MOSFET, 600 A 40 V Förbättring, 24 Ben, SMPD, GigaMOS, HiperFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

397,82 kr

(exkl. moms)

497,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 93 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 1397,82 kr
2 - 4389,87 kr
5 - 9377,89 kr
10 - 14373,86 kr
15 +369,82 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
875-2475
Distrelec artikelnummer:
302-53-513
Tillv. art.nr:
MMIX1T600N04T2
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

600A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SMPD

Serie

GigaMOS, HiperFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

24

Maximal drain-källresistans Rds

1.3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

590nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

830W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

23.25mm

Längd

25.25mm

Höjd

5.7mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™-serie


MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.